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Trion Orion HDCVD高密度化學氣相沉積系統(tǒng)

PECVD沉積可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。

GSC-1000磁控濺射系統(tǒng)概述： 帶有水冷或者加熱（高可加熱到700度）功能，大到6“旋轉(zhuǎn)平臺，大可支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

Trion Orion III PECVD薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。*的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標準要求。

德國韋氏納米系統(tǒng)專門為大學，研究機構(gòu)提供了一系列高真空/超高真空桌面型熱蒸發(fā)鍍膜工藝平臺。