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NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。

AT-400原子層沉積系統(tǒng)高縱橫比沉積，具有良好的共形性;曝光控制，用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)所需的共形性；預(yù)置有經(jīng)驗證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方；簡單便捷的系統(tǒng)維護(hù)及安全聯(lián)鎖；目前市面上占地小，可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng)；

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。

NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。