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NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

簡要描述:NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng):能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達(dá)12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體。

產(chǎn)品型號:

所屬分類:PECVD等離子化學(xué)氣相沉積系

更新時間:2017-03-03

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

詳情介紹

 

NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:

NPE-4000PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到zui大可達(dá)12"直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

產(chǎn)品特點:

  • 不銹鋼或鋁制腔體
  • 極限真空可達(dá)10-7Torr
  • RF淋浴頭,HCD或微波等離子源可選
  • 高達(dá)12"(300mm)直徑的樣品臺
  • RF射頻偏壓樣品臺
  • 水冷樣品臺
  • 可加熱到800 °C樣品臺
  • 加熱的氣體管路
  • 加熱的液體傳送單元
  • 抗腐蝕的渦輪分子泵組
  • 1路載體氣體以及3路反應(yīng)氣體,帶MFC
  • zui大可支持8路MFC,帶排放箱及氣體閥組
  • 預(yù)真空鎖及自動上下載腔門
  • 氣動控制閥
  • 基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制
  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護(hù)
  • 完整的安全聯(lián)鎖

產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 等離子誘導(dǎo)表面改性
  • 等離子清洗
  • 等離子聚合
  • SiO2, Si3N4, a-Si, DLC以及其它薄膜
  • CNT選擇性生長

設(shè)備型號:

  • NPE-4000:基于PC計算機(jī)全自動控制的獨立系統(tǒng)
  • NPE-3500:基于PC計算機(jī)全自動控制的緊湊型獨立系統(tǒng)
  • NPE-3000:基于PC計算機(jī)全自動控制的臺式系統(tǒng)
  • NRP-4000:RIE/PECVD雙系統(tǒng)
  • NSP-4000:濺射/PECVD雙系統(tǒng)

 



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