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NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
NPE-4000(ICPA)全自動ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
NSC-1000磁控濺射系統(tǒng):帶有水冷或者加熱(Z高可加熱到700度)功能,Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺,Z大可支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。
NSC-3000(M)磁控濺射系統(tǒng):帶有水冷或者加熱(Z高可加熱到700度)功能,Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺,Z大可支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。
NSC-3000(A)全自動磁控濺射系統(tǒng):臺式自動系統(tǒng),帶有水冷或者加熱(Z高可加熱到700度)功能,Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺,Z大可支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。