去膠工藝是微加工工藝過(guò)程中一個(gè)非常重要的工藝環(huán)節(jié)。在光刻工藝之后，我們往往需要面臨顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠的去除工作，這些環(huán)節(jié)中光刻膠去除的是否干凈*以及對(duì)樣片是否有損傷等將直接影響到后續(xù)工藝的進(jìn)行以及器件的性能。

　　微波等離子去膠機(jī)是適用于硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體前后道的等離子體去膠設(shè)備，可用于光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理，該系列有兩種配置分別兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圓。Virgo系列設(shè)計(jì)緊湊占地面積小，設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護(hù)、產(chǎn)能高。利用氧氣在微波發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，是的有機(jī)聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達(dá)到去除光刻膠的目的，這個(gè)過(guò)程我們有時(shí)候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡(jiǎn)單、適應(yīng)性更好，去膠過(guò)程純干法工藝，無(wú)液體或者有機(jī)溶劑參與。

　　微波等離子去膠機(jī)遇到以下幾種情形我們需要注意：

　?、?部分穩(wěn)定性高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會(huì)在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應(yīng)氣體，有時(shí)候我們也需要其他氣體參與；

　?、?涂膠后形成類(lèi)非晶態(tài)二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構(gòu)成并不是單純的碳?xì)溲?，所以是無(wú)法使用氧等離子去膠機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)去膠；

　?、?當(dāng)我們的樣品中有其他需要保留的結(jié)構(gòu)層本身就是有機(jī)聚合物構(gòu)成的，在等離子去膠的過(guò)程中，這些需要保留的層也可能會(huì)在氧等離子下發(fā)生損傷；

　　④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結(jié)構(gòu)層，氧等離子去膠過(guò)程，這些材料也會(huì)被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料。